Член-корреспондент РАН (2006), член Бюро Отделения физических наук РАН, директор Института физики твердого тела РАН. Физик-экспериментатор, специалист в области физики полупроводников.

Родился 3 октября 1949 г.

Широко известен своими пионерскими работами в области электронных свойств дислокаций и других протяженных дефектов в полупроводниках.

Внес существенный вклад в развитие "инженерии дефектов" в кремнии с дислокациями, имеющей большое практическое значение для современной солнечной энергетики.