Главный научный сотрудник Физического института АН СССР (РАН) с 1992 г.

Родился 7 марта 1927 г. в д. Маврино Московской области.

Окончил Московский механический институт в 1962 г., доктор физико-математических наук, профессор, академик РАЕН (1992).

Специалист в области физики твердого тела.

1952-1960 - младший научный сотрудник, 1960-1970 - старший научный сотрудник, 1970-1985 - заведующий сектором, 1985-1992 - заведующий лабораторией Физического института АН СССР.

Лауреат Государственной премии, Ленинской премии.

Внес крупный вклад в физику лавинного пробоя p-n переходов в полупроводниках и создал первые диффузионные диоды и транзисторы, разработал вопросы физики квантово-размерных структур и полупроводниковых лазеров с целью создания нового поколения приборов нано- и оптоэлектроники..