Гарбузов Дмитрий Залманович

Член-корреспондент РАН (1991), заведующий отделом Физико-технического института.

Родился 27 октября 1940 г..

Окончил ЛГУ в 1962 г..

Главные направления научной деятельности: разработка полупроводниковых гетероструктур, разработка нового метода жидкофазной эпитаксии.

Лауреат Ленинской премии (1972) и Государственной премии СССР (1987).

Женат, имеет двоих детей..

  • Люди