Дата рождения:
03.08.1936
Член-корреспондент РАН (1987), директор Института физики полупроводников СО РАН.
Родился 3 августа 1936 г.
Окончил ЛГУ в 1959 г.
Главные направления научной деятельности: разработка физических принципов создания элементной базы для систем технического зрения, разработка элипсометрических методов контроля параметров многослойности тонкоклеточных структур.
Женат, имеет двоих детей.
Увлечения - история.