Дата рождения:
Академик Российской академии наук (1987), член Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, директор Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики РАН (ИОФАН).
Родился 28 марта 1932 г. в Ленинграде.
Окончил физико-химический факультет Московского химико-технологического института им. Д.И.Менделеева в 1954 г., доктор физико-математических наук, профессор.
С 1954 г. работал в лабораторию люминесценции Физического института им. П.Н.Лебедева АН СССР (ФИАН), в 1961 г. возглавил отдел монокристаллов ФИАН, который с 1983 г., после образования Института общей физики, стал Отделом физики твердого тела ИОФАН, в дальнейшем - Научным центром лазерных материалов и технологий.
Действительный член и член президиума Академии инженерных наук России, член Оптического общества им. Д.С.Рождественского, Американского оптического общества, Общества исследования материалов.
Главные направления научной деятельности: физика твердого тела, лазерная физика, материалы квантовой электроники.
Возглавлял работы в результате которых были синтезированы около четверти всех известных лазерных кристаллов, на основе которых были созданы эффективные лазеры с КПД, в несколько раз превышающим КПД ранее известных аналогов.
Автор и соавтор более 350 научных трудов и изобретений.
Лауреат Ленинской премии (1980), премии Совета Министров СССР (1991), премии Лодиза Международной организации по росту кристаллов (1992).
Награжден орденом Трудового Красного Знамени (1974).
Женат, имеет сына и дочь.